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将RFID写入速度提升数千倍，这家公司怎么做到的

发布时间：2025-08-08

为了深入探讨RFID技术的最新进展、应用趋势以及面临的挑战，2025年8月28日，我们将在深圳国际会展中心（宝安）9号馆会场1举办 IOTE 2025深圳·RFID无源物联网生态研讨会，本次论坛旨在汇聚来自全球的RFID技术专家、学者、企业代表以及政府相关部门的人士，共同分享RFID技术的最新研究成果、应用案例以及未来发展方向。

无论是对于RFID技术的深入研究，还是对于其在各个领域的实际应用，本次论坛都将是一次难得的交流与合作机会。我们期待与各位专家、学者以及企业代表共同探讨RFID技术的未来，携手开创RFID技术的新篇章。

在本次论坛上，RAMXEED LIMITED亚洲市场总监罗建将发表《无源FeRAM RFID：赋能AIOT的边缘存储革新》的主题演讲。在这次演讲中，罗总将会分享如何解决传统RFID写入慢、寿命短、功耗高等瓶颈。RAMXEED采用内置FeRAM的无源RFID方案，写入速度提升数百至数千倍、写入循环耐久达1万亿次、能效极高，还可实现电池无源运行。这在智能制造、医疗追溯、无线传感等场景体现出巨大优势。面向AI时代，FeRAM RFID可在边缘设备中实现实时高频数据采集与储存，为智能IoT架构注入新动能。

感兴趣的观众，可以扫码预约参会