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富士通重新定义医疗领域数据存储高可靠性RFID标签

发布时间:2015-01-28

  在22日易维讯举办的年底ICT媒体论坛暨2015产业和技术展望研讨会上,富士通发布了其FRAM(铁点非易失性随机存储器),该产品有望重新定义高可靠性RFID标签及计量仪表。

富士通重新定义医疗领域数据存储高可靠性RFID标签

年底ICT媒体论坛暨2015产业和技术展望研讨会

  富士通半导体(上海)有限公司市场部经理蔡振宇先生现场解析了各种存储技术和介质,并例举了FRAM的性能优势。

富士通重新定义医疗领域数据存储高可靠性RFID标签

富士通半导体(上海)有限公司市场部经理蔡振宇先生

  据蔡经理现场介绍,FRAM是Ferroelectric Random Access Memory的缩写,是运用铁电材料(PZT等)的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储,又可以像PAM一样操作。与常用的E2PROM相比,铁电FRAM更加快速、耐写、以及低功耗。铁电FRAM有40000倍于E2PROM的烧写速度,实时存储数据帮助系统设计者解决了突然断电数据丢失的问题。那么具体FRAM有多快?蔡经理带来的现场DEMO显示,FRAM只需0.5S可以传送的数据,E2PROM需要13.4S。同时,铁电FRAM还具有高读写耐久性1万亿次的特点,可以频繁记录操作历史和系统状态,这一点强于E2PROM 一百万倍(E2PROM只有一百万次)。而且只有其1/1000的超低功耗,写入时无需升压。

FRAM

E2PROM

FLASH

SRAM

Type foMemory

Nonvolatile

Nonvolatile

Nonvolatile

Volatile

Data write

Overwrite

Erase+write

Erase+write

Overwrite

Write Cycle Time

150ns

15ms

6ps

40ns

Endurance

>1012

<106

<106

Operation

Current(Max)

10uA

5MA

30MA

9MA

  FRAM与其它存储器的比较

  富士通从1999年开始量产,14年累计销售23亿片FRAM产品。蔡经理总结基于富士通FRAM的产品特长道:“首先无须电源保护,无须后备电池,瞬间断电保护,可以做到小封装化,减少维护保养工时,更加环保和低功耗。其次高速/高读写耐久性,实现信息数据的实时频繁记录。其三,最重要的是抗辐射性,与其他传统存储器相比,不易受射线(α射线,中性电子线等)影响。”

  富士通FRAM可以广泛应用于RFID标签、电表、水表、燃气表、ATM机、有线内窥镜、通用验证芯片等等产品中,特别是FRAM RFID产品成就斐然。

  在工业自动化领域中,和西门子合作成功将FRAM RFID标签应用于汽车生产线,同时波音飞机在维护零件过程也运用FRAM RFID标签来管理和存储维护记录。

  蔡经理表示:“FRAM RFID之所以可以应用汽车等生产线,是因为其高速写入能力,常规标签写入往往比读取慢得多,但FRAM RFID的写入速度和读取速度是一样的快,对于流水生产线而言,速度非常重要。而且如果要详细记录物品流通过程中的环境数据,设备的状态数据,不但要读写快,而且要能反复读写大量数据的话,无疑FRAM RFID比常规RFID更加理想。”

  在医疗领域中,因为常用伽马射线消毒,普通的基于E2PROM的标签数据会被破坏,而FRAM RFID标签无惧伽马射线。在医疗设备、容器、包装材料等物品上直接黏贴标签就可以进行灭菌,灭菌后标签数据不会消失。

  蔡经理表示:“我们已经推出了两款成熟的FRAM RFID,其中包括MB97R8050和MB97R803A/4B,他们符合ISO18000-6C的标准。我们在医疗和医药中用了很多RFID新的产品,像手术台的追溯,药剂盒子,类似于穿刺、血透的管子,美国和欧洲的国家会有很多接触到医疗器械的地方,需要经过伽玛放射性消毒,普通的标签满足不了要求,只有基于FRAM的RFID可以满足。从目前的情况来讲,原来是美国和欧洲的需求比较多,慢慢地我们看到,中国的医院和中国客户也慢慢接受这个产品,需求会越来越多。目前市场上只有我们的FRAM的RFID可以做到满足这些需求。”

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